3nm晶圓廠競賽：據(jù)報道三星接近終點線

3nm晶圓廠競賽：據(jù)報道三星接近終點線 

就在臺積電在公司 2022 年北美技術(shù)研討會上提供其 3 納米工藝節(jié)點的詳細(xì)信息幾天后，有報道稱晶圓廠的主要競爭對手三星本周開始其基于 3 納米的芯片制造。臺積電計劃在今年年底開始生產(chǎn) 3 納米。

值得注意的是，雖然臺積電的 3-nm 節(jié)點基于 FinFET 技術(shù)，但三星正在為這種工藝幾何轉(zhuǎn)向采用環(huán)柵 (GAA)技術(shù)。GAA 設(shè)計允許晶圓廠在不損害其承載電流的能力的情況下縮小晶體管尺寸。另一方面，臺積電的 FinFET 架構(gòu)（稱為FinFlex）使芯片設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)各種鰭配置，以滿足性能、功率和裸片尺寸目標(biāo)。

圖 1三星的 3 納米工藝節(jié)點是圍繞 GAA 技術(shù)構(gòu)建的，三星稱之為多橋通道 FET 或 MCBFET。資料來源：三星

       另外值得注意的是，美國總統(tǒng)拜登最近訪問了三星在 Pyenogtaek 的制造工廠，觀看了 3 納米的演示。行業(yè)觀察人士認(rèn)為，三星可能會在新的 3 納米節(jié)點上制造其 Exynos 2300 芯片，這些芯片將為部分 Galaxy S23 智能手機(jī)變體提供動力。

圖 2美國總統(tǒng)喬拜登參觀了三星在平澤附近的旗艦半導(dǎo)體制造工廠，觀看了 3 納米制造技術(shù)演示

       行業(yè)觀察家還將密切關(guān)注以 3 納米幾何形狀制造的新芯片的良率，尤其是當(dāng)三星的 4 納米節(jié)點存在多個良率問題時。根據(jù)行業(yè)報告，三星預(yù)計其 3-nm 節(jié)點與 5-nm 制造工藝相比，將帶來 35% 的裸片面積減少、30% 的性能提升和 50% 的功耗降低。

       三星在 3 納米技術(shù)上處于領(lǐng)先地位是一個有趣的發(fā)展，因為根據(jù)市場研究公司 Gartner 的數(shù)據(jù)，臺積電在 7 納米和 5 納米節(jié)點上占據(jù)了主導(dǎo)市場份額。三星是否會比臺積電早一點開始制造 3 納米芯片，從而獲得顯著收益，這也將是一件有趣的事情。

深圳市晶光華電子有限公司  26年專注提供一站式晶振產(chǎn)品解決方案，產(chǎn)品主要有SMD石英晶振、  車規(guī)晶振 、  SMD振蕩器等。晶光華始終堅持以品質(zhì)為基石，品質(zhì)符合國際IEC和美國ANSI標(biāo)準(zhǔn)。為了滿足客戶的高標(biāo)準(zhǔn)需求，我司積極整合供應(yīng)鏈，真正服務(wù)每一位品質(zhì)客戶。