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臺(tái)積電為新的 3nm節(jié)點(diǎn)創(chuàng)建設(shè)計(jì)選項(xiàng)

來源： | 發(fā)布日期：2022-07-05

臺(tái)積電 (TSMC) 已經(jīng)創(chuàng)建了其即將推出的 3nm FinFET 節(jié)點(diǎn)的版本，該節(jié)點(diǎn)將于今年晚些時(shí)候推出，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠提高性能、功率效率和晶體管密度 - 或選擇這些選項(xiàng)的平衡。

臺(tái)積電的 3nm 技術(shù)將于 2022 年晚些時(shí)候開始生產(chǎn)，將采用該公司的 FinFlex 架構(gòu)，提供具有 3-2 鰭片配置以提高性能、2-1 鰭片配置以提高功率效率和晶體管密度或 2-2 鰭片的標(biāo)準(zhǔn)單元選擇高效性能的配置。

臺(tái)積電 FinFlex 架構(gòu)產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的芯片代工廠商上周在其 2022 年北美技術(shù)研討會(huì)上宣布了 FinFlex 。借助新架構(gòu)，客戶可以創(chuàng)建帶有功能塊的 SoC 設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)各種鰭片配置，以滿足性能、功耗和裸片尺寸目標(biāo)。

“對(duì)計(jì)算能力和能源效率的需求比以往任何時(shí)候都增長(zhǎng)得更快，為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造了前所未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，”臺(tái)積電首席執(zhí)行官 CC Wei 在活動(dòng)中表示。

通過在新的 3nm 節(jié)點(diǎn)啟動(dòng)時(shí)提供一系列選擇，該公司將填補(bǔ)三星或英特爾等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手可能尋求利用的空白，因?yàn)檫@三家公司的目標(biāo)是在工藝技術(shù)上處于領(lǐng)先地位。根據(jù)市場(chǎng)研究公司 Gartner的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在先進(jìn)的 7nm 和 5nm 節(jié)點(diǎn)中占據(jù)了 90% 的業(yè)務(wù)。

臺(tái)積電表示，其 3nm 工藝技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)鰭片配置的組合。

“與我們的 EDA 合作伙伴密切合作，我們將使我們的客戶能夠通過使用相同的工具集在他們的產(chǎn)品中充分利用 TSMC FinFlex，”臺(tái)積電全球營(yíng)銷負(fù)責(zé)人 Godfrey Cheng 說。

Cheng 表示，芯片設(shè)計(jì)人員最近的一個(gè)趨勢(shì)是混合 CPU。新的 CPU 具有高性能內(nèi)核以及其他可提高能效的內(nèi)核，以及 GPU 內(nèi)核和固定功能塊。高能效 CPU 內(nèi)核可處理大部分日常工作負(fù)載。隨著工作負(fù)載的增加，高性能內(nèi)核會(huì)激活。與這些 CPU 內(nèi)核相輔相成的是超高效和超密集的 GPU 和固定功能塊。

Cheng 表示，借助 TSMC FinFlex，產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可以優(yōu)化每個(gè)功能塊的鰭片配置，而不會(huì)影響其他功能塊，所有這些都在同一個(gè)芯片上。

在上周的技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電還宣布正在開發(fā) N6e，這是一種工藝技術(shù)，旨在為邊緣 AI 和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供更高的計(jì)算能力和能源效率。N6e 將基于臺(tái)積電的 7nm 工藝。

隨著領(lǐng)先的代工廠在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)采用異構(gòu)集成，封裝技術(shù)變得越來越重要。

在研討會(huì)上，該公司展示了其 SoIC 芯片堆疊技術(shù)，其中包括世界上第一個(gè)基于 SoIC 的 CPU，該 CPU 采用晶片上芯片 (CoW) 技術(shù)將 SRAM 堆疊為 3 級(jí)緩存。

該公司還詳細(xì)介紹了使用晶圓上晶圓 (WoW) 技術(shù)堆疊在深溝槽電容器芯片頂部的智能處理單元。

隨著 CoW 和 WoW 的 7nm 芯片的生產(chǎn)，臺(tái)積電表示將從 2023 年開始提供 5nm 的封裝技術(shù)。為了滿足對(duì) SoIC 和其他臺(tái)積電 3DFabric 系統(tǒng)集成服務(wù)的需求，該公司將從世界上第一個(gè)全自動(dòng)開始生產(chǎn)2022年下半年3DFabric工廠。

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